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【24h】

65nmに向けた東京応化のフォトレジストLERの低減から液浸対応まで多岐にわたる開発

机译：65nmに向けた東京応化のフォトレジストLERの低減から液浸対応まで多岐にわたる開発

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65～45nmノードにおけるレジストプロセスの課題として懸念されるのはラインエッジラフネスおよびCD制御バラツキのコントロールである。 LER低減に向けては，酸拡散の方向性の制御，そして，もしその世代でも高分子材料が用いられるのであれば，会合体の大きさ制御も重要になるという。 PEBのにっていは，機能性材料の重合性の制御およびそれ以外のアプローチ，コンセプトでの開発も必要である。

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