中性粒子ビームによる究極の微細加工

寒川誠二

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中性粒子ビームによる究極の微細加工

机译：中性粒子ビームによる究極の微細加工

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半導体デバイス製造においては微細加工，表面改質，薄膜堆積などのキープロセスで反応性プラズマが広く用いられており，今や原子層レベルの加工精度や堆積精度が要求されている．しかしながら，今後の主流となるナノオーダーの極微細デバイスにおいては，プラズマから放射される電子やイオンによる電荷蓄積や真空紫外光などの放射光による欠陥生成などのデバイス特性を劣化させるダメージがより深刻な問題になってくる．ナノデバイスではわずかな欠陥でも大きくデバイス特性を左右するためである．これらの問題を解決する手段として，中性粒子ビームによる微細加工技術が注目を集めている．

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来源
《日本機械学会誌》 |2005年第4期|312-0|共1页
作者
寒川誠二;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类 TH-53;
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