リニアモータを用いた単結晶引上げ装置用アクティブ#12539;パッシブ切換え型免震装置（第1報：振動制御実験）

古川裕紀; 藤田隆史; 鎌田崇義晦日英明

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リニアモータを用いた単結晶引上げ装置用アクティブ#12539;パッシブ切換え型免震装置（第1報：振動制御実験）

机译：リニアモータを用いた単結晶引上げ装置用アクティブ#12539;パッシブ切換え型免震装置（第1報：振動制御実験）

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現在，あらゆる設備機器は半導体チップを内蔵し高知能化が図られている．この知能化の根幹となる半導体チップの素材は単結晶シリコンであり，その9割以上がチョクラルスキー法（Czochralski＝CZ法）と呼ばれる製法により生産されている．ここでCZ法とは，原料である多結晶シリコンをルツボ内で溶融し，その液面に種結晶を浸して回転させながらゆっくりと引き上げていくことにより，種結晶を起点とした単結晶体に成長させる製法である．

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来源
《生産研究》 |2004年第5期|63-66|共4页
作者
古川裕紀; 藤田隆史; 鎌田崇義晦日英明;
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作者单位

ヤクモ株式会社;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类工程基础科学;
关键词

リニアモータを用いた単結晶引上げ装置用アクティブ#12539;パッシブ切換え型免震装置（第1報：振動制御実験）

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