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A total internal reflection device using KTN

机译:A total internal reflection device using KTN

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摘要

A total internal reflection diffraction device has been constructed using a quadratic electro-optic material (KTN). This device exhibits a best zero order extinction voltage of 40 V, and a capacitance of 630 pf at room temperature (20° C above Curie temperature). Useful modulation is achieved with coarse gratings (0.4 mm pitch at 0.63μm) and mildly striated material can often be use

著录项

  • 来源
    《optical and quantum electronics》 |1976年第3期|197-201|共页
  • 作者

    M.T.V.Scibor-Rylski;

  • 作者单位

    Xerox Research (UK) Limited;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类
  • 关键词

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