イオン注入剥離法と基板直接接合法の融合による低コストSiC基板の作製

河原孝光; 八田直記; 坂田豊和南章行八木邦明内田英次小林元樹高木秀樹

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イオン注入剥離法と基板直接接合法の融合による低コストSiC基板の作製

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シリコンカーバイド（SiC）は，シリコン（Si）とカーボン（C）からなる化合物半導体である．SiCにはさまざまなポリタイプ（結晶多形）が存在し，それぞれ物性値が異なる．中でも六方晶の4H-SiCはSiと比べて絶縁破壊電界強度が10倍，バンドギャップが3倍と優れており，Siの限界を超える次世代のパワーデバイス用材料として期待されている．特に近年は，地球温暖化などの環境問題に対して電力の高効率利用が急務であるハイブリッド車や電気自動車，鉄道等へ用いる省電力デバイス材料として注目が集まっている．しかしながら，4H-SiC基板はφ200mmまでの大口径化が実現されていながら，依然として高コストであることがSiC半導体市場拡大の妨げとなっている．高コストの理由は，SiCの主な製造手法である昇華法では欠陥密度等の品質を維持しながらの大口径化や高速成長が難しいためである．さらにSiCは，高硬度であるために，スライスや研磨といった基板化加工が難しいことも高コストの要因となっている．

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来源
《精密工学会誌》 |2017年第993期|833-836|共4页
作者
河原孝光; 八田直記; 坂田豊和南章行八木邦明内田英次小林元樹高木秀樹;
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作者单位

（株）サイコックス;

国立研究開発法人産業技術総合研究所;

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正文语种日语
中图分类机械制造工艺;仪器、仪表;
关键词

イオン注入剥離法と基板直接接合法の融合による低コストSiC基板の作製

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