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マイクロ·ナノトライボロジーにおけるータ分子動力学シミュレーションの適用

机译:マイクロ·ナノトライボロジーにおけるータ分子動力学シミュレーションの適用

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摘要

半導体集積回路や記憶デバイスに代表される微細化·高密度化は,それらの製作·使用過程において遭遇する現象にも微細化をもたらしている.たとえば,半導体集積回路の微細化·高密度化の鍵となる平坦化プロセスで用いられるCMP (Chemical Mechanical Polishing)において,除去加工単位はときにnm未満,すなわち数原子程度に及ぶ.一方,磁気記録ヘッドおよびハードディスクのカーボン保護膜の厚さは10 nm未満,すなわち数百原子程度に及んでおり,その厚さの低減や耐摩耗性の向上は,高密度化の鍵となる.それらデバイス表面を計測する装置も,原子間力顕微鏡(AFM, Atomic Force Microscope)を代表に,原子レベルで表面観察できるものである.これらに深く関わるマイクロ·ナノトライボロジ-現象を明らかにすることは,微細技術発展の重要な鍵となる.

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