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半導体プラナリゼーショジCMP技術の展望

机译：半導体プラナリゼーショジCMP技術の展望

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CMP (Chemical Mechanical Polishing/Planarization) は研磨技術から発展し，化学反応を援用して対象基板の表 層を改質するとともに，機械的研磨と組み合わせることで 超精密平坦化を実現する技術であり，1990年ごろに半導 体の平坦化加工に採用され始めて以来，半導体デバイス製 造において，必要不可欠なプロセスとして定着している. 一方でCMP技術は，半導体ウェハや各棟基板の加工技術 として活用され続けているにもかかわらず，加工に及ぼす 要因や要素が多く，それらが複雑に絡み合っているため， 経験に基づいたノウハウによって成立している側面が強 い.今後のデバイス•プロセスにおいてより高度な精密平 坦化加工を行うには，サイエンス化を図り，その加にメカ ニズムを解明し，経験則を裏付け，新たな発想と組み合わ せて，困難な課題を克服していく必要がある.

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