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Einfluss der Lotprofilparameter auf die Lotqualitat beim Vakuumkondensationsloten

机译:Einfluss der Lotprofilparameter auf die Lotqualitat beim Vakuumkondensationsloten

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摘要

Bei leistungselektronischen Baugruppen steigt die Integrationsdichte stetig an. Lotdefekte, wie zum Beispiel Gaseinschlusse (Poren), verringern die technische Zuverlassigkeit der Baugruppe. Das Vakuumkondensationsloten bietet die Moglichkeit, den Porengehalt in Lotstellen zu minimieren. Die dabei verwendeten Lotprofileinstellungen beruhen bisher meist auf Erfahrungswerten. Diese Arbeit untersucht die Lotqualitat des Vakuumkondensationslotens in Abhangigkeit vom angewendeten Temperatur- und Vakuumprofil. Die Untersuchung erfolgte an zwei verschiedenen Lotpasten und fur verschiedene Bauelementgrossen und -typen. Weiterhin wurde das Layout der Schablonenoffnungen variiert. Die Lotqualitat wird anhand des Porengehaltes, der Grabsteinanzahl, der Lotperlenanzahl und dem Benetzungsverhalten bewertet. Zusatzlich wird das Einsinken der Bauelemente durch den Lotprozess herangezogen.

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