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Current steering detection scheme of three terminal antenna-coupled terahertz field effect transistor detectors

机译:三端天线耦合太赫兹场效应晶体管探测器的电流转向检测方案

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摘要

An antenna-coupled field effect transistor (FET) as a plasma wave terahertz detector is used with the current steering to record separately the gate-source and gate-drain photoresponses and their phase sensitive combination. This method is based on the observation that the plasmon-terminal coupling is cut off in saturation, resulting in only one-sided sensitivity. A polarimetric example is presented with intensity and polarization angle reconstruction using a single three-terminal antenna-coupled Si-metal-oxide semiconductor FET (MOSFET). The technique is applicable to various detection schemes and technologies (high electron mobility transistors and GaAs-, GaN-, and Si-MOSFETs), and other application possibilities are discussed.
机译:天线耦合场效应晶体管(FET)作为等离子体波太赫兹探测器,与电流控制一起使用,分别记录栅源和栅漏光响应及其相位敏感组合。该方法基于对等离激元-末端耦合在饱和度中被切断的观察,仅导致单侧灵敏度。给出了一个使用单个三端子天线耦合硅金属氧化物半导体 FET (MOSFET) 进行强度和极化角重建的极化示例。该技术适用于各种检测方案和技术(高电子迁移率晶体管和GaAs、GaN和Si-MOSFET),并讨论了其他应用可能性。

著录项

  • 来源
    《Optics Letters》 |2013年第15期|2804-2806|共3页
  • 作者

    Peter Foldesy;

  • 作者单位

    Faculty of Information Technology, Peter Pazmany Catholic University, Prater u. 50/a, 1083, Budapest, Hungary;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类 计量学;
  • 关键词

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