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ワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスの開発

机译:开发使用宽带隙半导体的功率器件

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摘要

Siパワーデバイスの性能はSiの半導体としての物理的限界に近づきつつあり,上記要望に応えるためにはSiC等のパワーデバイスの実現が不可欠になってきている。 本稿では,住友電工で開発を進めているSiCやGaNを用いたパワーデバイスについて述べる。
机译:Si功率器件的性能正在接近Si作为半导体的物理极限,为了满足上述需求,实现SiC等功率器件变得不可或缺。 在本文中,我们介绍了住友电工正在开发的使用SiC和GaN的功率器件。

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