Quantitative strain characterization of SiGe heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy

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• 来源
  《Physica, B. Condensed Matter》 |2010年第16期|3433-3435|共3页
• 作者

  Zhao C.W.; Xing Y.M.; Yu J.Z.Han G.Q.;

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• 作者单位

  College of Science, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot, 010051, China;

  State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 英语
• 中图分类 物理学;
• 关键词

  High-resolution Transmission electron microscopy; Si/Ge heterostructures; Strain;