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カーボンナノ構造の低温作製

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摘要

Fig.2は,作製した薄膜のSEM像であり,直径約100nm,長さ1~10脚nのファイバ状のカーボンナノ構造が成長していることがわかる.ファイバは,ランダムな方向に成長して,高密度に生えている。 Fig.3に,カーボンナノ構造を持つ薄膜の電界電子放出特性の一例を示す.デバイスへの応用を考えた場合,電界電子放出特性ほ,低しきい値電界での高電流密度が得られる特性が求められている.Fig.3に示すように,約2?2V/μmの印加電界で,0.11nA/cm~2という比較的大きな電流密度が得られた。 この値ほ,電界電子放出特性が良いカーボンナノチューブやカーボンナノファイバなどの炭素系薄膜と比較しても遜色1,2)がなく,この薄膜からは,低電界で非常に効率の良いエミッション電流が得られることが蒙っかった.

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