ナノ光計測技術における電磁場シミュレーションの開発

竹部雅博; 田窪健二

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ナノ光計測技術における電磁場シミュレーションの開発

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電子デバイスや医療の分野ではナノスケールで計測できる技術への期待が大きい。光を使って波長以下の空間分解能で計測するには近接場光やエバネッセント光を使う必要があり，これらは外界から直接観察することのできない非伝播光であることから，ナノ光計測技術の開発には電磁場シミュレーションは有望な道具である。電磁場解析手法にはよく知られるFDTD（Finite Difference Time Domain）法を用いたが，近接場などの計算精度についてはあまり知られていなかった。金属を扱う場合にRC（Recursive Convolution）法などの計算方法を使う必要からの膨大な計算量がその理由として考えられるが，並列処理を使うことで解決を図っだ。本稿では近接場プロープの計算とその結果に定性的な評価を加え，設計技術としての有効性を示した。さらに，表面プラズモン共鳴センサに用いられるKretschmann配置をモデルケースとして調べたが，十分な計算精度とはいえない結果であった。高精度化には電磁場解析手法だけでなく誘電体の物性を調べる必要があると思われる。

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来源
《島津評論》 |2005年第4期|181-186|共6页
作者
竹部雅博; 田窪健二;
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作者单位

設計技術センター;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类机械、仪表工业;
关键词

ナノ光計測技術における電磁場シミュレーションの開発

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