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Recent observations of structure, in situ defect formation, and synthesis of 2D materials using atomic - resolution TEM

机译：使用原子分辨TEM观察2D材料的结构，原位缺陷形成和合成的最新观察。

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Two-dimensional (2D) materials, such as graphene and hexagonal boron nitride (hBN), exhibit extraordinary physical and electrical properties that make them interesting to materials scientists. Characterizing the structure and formation of defects in the regular crystalline lattice of these materials helps researchers understand the effects of the defect on the materials' properties. Atomic-resolution transmission electron microscopy (TEM), in this cases an aberration-corrected Titan (FEI, Hillsboro, Ore.), provides a unique and effective way to directly observe structure and in situ defect formation in these materials. In this article, we review recent observations in our laboratory, focusing on three 2D materials, graphene, hBN, and molybdenum tungsten disulfide (MoWS_2) - a conductor, an insulator, and a semiconductor, respectively.
机译：二维（2D）材料，例如石墨烯和六方氮化硼（hBN），展现出非凡的物理和电学特性，这使材料科学家倍受关注。表征这些材料的规则晶格中缺陷的结构和形成有助于研究人员了解缺陷对材料性能的影响。在这种情况下，通过像差校正的泰坦（FEI，俄勒冈州希尔斯伯勒），原子分辨率透射电子显微镜（TEM）提供了一种独特而有效的方法，可以直接观察这些材料的结构和原位缺陷形成。在本文中，我们将回顾实验室中的最新观察结果，重点关注三种2D材料，即石墨烯，hBN和二硫化钼钨（MoWS_2）-分别是导体，绝缘体和半导体。

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