Vertical wrap-gated nanowire transistors

T BRYLLERT; L-E WERNERSSON; T LOWGREN

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Vertical wrap-gated nanowire transistors

机译：垂直包裹栅纳米线晶体管

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We present a process for fabricating a field-effect transistor based on vertically standing InAs nanowires and demonstrate initial device characteristics. The wires are grown by chemical beam epitaxy at lithographically defined locations. Wrap gates are formed around the base of the wires through a number of deposition and etch steps. The fabrication is based on standard III-V processing and includes no random elements or single nanowire manipulation.

机译：我们提出了一种基于垂直站立的InAs纳米线制造场效应晶体管的工艺，并演示了初始器件的特性。通过化学束外延在光刻定义的位置上生长导线。通过多个沉积和蚀刻步骤，在导线的底部周围形成包裹栅。该制造基于标准III-V处理，不包括随机元素或单个纳米线操作。

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来源
《Nanotechnology》 |2006年第11期|共4页
作者
T BRYLLERT; L-E WERNERSSON; T LOWGREN;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般工业技术;
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