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【24h】

Luminescent small-diameter 3C-SiC nanocrystals fabricated via a simple chemical etching method

机译：通过简单的化学蚀刻方法制备的发光小直径3C-SiC纳米晶体

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Up to now, it is still a great challenge to obtain bulk quantities of luminescent 3C-SiC nanocrystals with sizes smaller than 10 nm, which have quantum confinement effect. We report in this paper on the fabrication of 3C-SiC nanocrystals via a chemical etching of microscale 3C-SiC grains and ultrasonic vibration. The sizes of the as-prepared 3C-SiC nanocrystals are smaller than 6.5 nm and have a centric distribution with the maximal probability of 3.6 nm. Due to the quantum confinement effect, the suspension of the 3C-SiC nanocrystals exhibits a tunable photoluminescence (PL), which is visible with the naked eye. As the excitation line increases from 260 to 480 nm, the PL peak position changes from 420 to 512 nm. Spectral analysis and microstructural observations show that the chemical etching leads to the formation of a weakly interconnected nanostructure network in the large 3C-SiC grains and subsequent ultrasonic vibration crumbles the interconnected network, forming small-size 3C-SiC nanocrystals.
机译：迄今为止，获得具有量子限制效应的尺寸小于10nm的大量发光3C-SiC纳米晶体仍然是巨大的挑战。我们在本文中报道了通过化学刻蚀微型3C-SiC晶粒和超声振动制造3C-SiC纳米晶体的过程。所制备的3C-SiC纳米晶体的尺寸小于6.5nm，并且具有中心分布，最大概率为3.6nm。由于量子限制效应，3C-SiC纳米晶体的悬浮液表现出可调节的光致发光（PL），用肉眼可见。随着激发线从260 nm增加到480 nm，PL峰值位置从420 nm变为512 nm。光谱分析和微观结构观察表明，化学蚀刻导致在大的3C-SiC晶粒中形成弱互连的纳米结构网络，随后的超声振动使互连的网络崩溃，从而形成小尺寸的3C-SiC纳米晶体。

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