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Shape preservation of self-assembled SiGe quantum rings during Si capping

机译：硅盖过程中自组装SiGe量子环的形状保持

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Self-assembled SiGe quantum rings (QRs) on Si(001) are capped with Si layers at temperatures varying from 200 to 550 deg C; their shape changes after Si capping are investigated by atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The SiGe QR shape can be well preserved in the Si capping layer when the substrate temperature at Si capping is lower than 350 deg C, whereas the SiGe QR shape transforms from a ring to a mound when the substrate temperature is higher than 480 deg C. The SiGe QR shape could also be well preserved in the Si capping layer with an initial low temperature (300 deg C) Si capping followed by a relatively high temperature (550 deg C) Si capping. A comparison of the photoluminescence (PL) spectra of the SiGe QRs and the SiGe quantum dots (QDs) is also reported.
机译：Si（001）上的自组装SiGe量子环（QRs）在200至550摄氏度的温度下覆盖有Si层;通过原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）研究了Si封盖后它们的形状变化。当硅覆盖时的衬底温度低于350摄氏度时，硅锗QR形状可以很好地保留在硅覆盖层中，而当衬底温度高于480摄氏度时，硅锗QR形状从环形转变为土堆。 SiGe QR形状也可以很好地保留在Si覆盖层中，先进行低温（300℃）的Si覆盖，然后再进行相对较高温度（550℃）的Si覆盖。还报告了SiGe QR和SiGe量子点（QD）的光致发光（PL）光谱的比较。

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