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Electron scattering from germanium tetrafluoride

机译：四氟化锗的电子散射

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This paper describes the use of two methodologies to find the electron impact total cross sections (TCS) for GeF4 molecule from 1-5000 eV. The ab initio R-matrix method is used at low impact energies and the spherical complex optical potential (SCOP) formalism at intermediate to high energies. The TCS from both formalisms match quite well at the overlapping energy (similar to 12 eV) allowing us to predict the cross section for such a wide energy range. Besides TCS, calculations for electronic excitation, rotational excitation, momentum transfer and differential elastic cross sections are also reported using the R-matrix method. A broad resonant feature at 5.69 eV due to degenerate B-2(1), B-2(2) and B-2(3) states is observed, revealing the probability of anion formation by an electron attachment process and further decay to neutral and negative ion fragments. The electronic and rotational excitation cross sections for e-GeF4 scattering are reported for the first time.
机译：本文介绍了使用两种方法从1-5000 eV查找GeF4分子的电子碰撞总截面（TCS）。从头算起R矩阵方法在低冲击能量下使用，而球形复光学势（SCOP）形式在中等能量到高能量下使用。两种形式主义的TCS在重叠能量（类似于12 eV）上都非常匹配，这使我们能够预测如此宽的能量范围的横截面。除TCS外，还使用R-矩阵方法报告了电子激励，旋转激励，动量传递和微分弹性横截面的计算。观察到由于简并的B-2（1），B-2（2）和B-2（3）状态，在5.69 eV处具有宽泛的共振特征，揭示了通过电子附着过程形成阴离子并进一步衰减为中性的可能性和负离子碎片。首次报道了e-GeF4散射的电子和旋转激发截面。

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