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【2h】

Electron Drift Mobility of Degenerate Semiconductors due to Ionized Impurity Scattering - Phase 3

机译：离子杂质散射引起的退化半导体的电子漂移迁移 - 第3阶段

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Analysis of electron drift mobility of degenerate semiconductors due to ionized impurities and electron drift mobility of degenerately doped zinc oxide (ZnO).

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作者
Rode,Daniel;
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作者单位

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年(卷),期 2019(),
年度 2019
页码
总页数 25
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
网站名称美国国防技术信息中心
栏目名称所有文件
关键词
semiconductors; scattering; conduction bands; hall effect; fortran;

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Electron Drift Mobility of Degenerate Semiconductors due to Ionized Impurity Scattering - Phase 3

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