首页> 美国政府科技报告 >Creep of Hafnium Diboride - 20 Vol % Silicon Carbide at 1500C in Air.
【24h】

Creep of Hafnium Diboride - 20 Vol % Silicon Carbide at 1500C in Air.

机译:铪二硼化物的蠕变 - 在空气中在150℃下的20体积%碳化硅。

获取原文

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号