Quantum wells; Gallium arsenides; Epitaxial growth; Photoluminescence; X raydiffraction; Energy gaps; Substrates; Conduction bands; Sulfur; Quaternary compounds; Excitons; Magnesium alloys; Laser materials; Zinc selenides;
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机译:InGaN / GaN量子阱发光器件的制造和表征,包括光子晶体纳米腔结构