Electron microscopy; Crystal growth; Polarity; Defects; Pyramidal defects; Bulk crystals; Planar defects; Trapazoids;
机译:缺陷减少了选择性生长的GaN金字塔,作为绿色InGaN量子阱的模板
机译:在si(111)上通过分子束外延生长的Ga和N极性GaN中的深层缺陷
机译:Ga极性生长的p掺杂块状GaN晶体中的缺陷
机译:GaN中的缺陷原子结构:Mg与GA极性生长
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:GaN中的金字塔缺陷:MG与GA极性生长