Gamma, electron, and proton radiation exposures of P-channel, enhancement, metal oxide semiconductor, field effect transistors

著录项

• 作者

  Wannemacher, H. E.;

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• 作者单位

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• 年度 1965
• 页码 1-45
• 总页数 45
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 工业技术;
• 关键词

  AUGMENTATION; ELECTRON RADIATION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GAMMA RAYS; METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; PROTON IRRADIATION; PROTONS; RADIATION DOSAGE; TRANSISTORS; FIELD EFFECT TRANSISTOR /FET/; GAMMA RADIATION; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR /MOS/; PROTON IRRADIATION;

  机译：aUGmENTaTION;电子辐射;场效应晶体管;伽马射线;金属氧化物半导体;质子辐照;区质子;辐射剂量;晶体管，场效应晶体管/ FET /; Gamma辐射;金属氧化物半导体/ mOs /;质子辐照;