机译:通过扫描隧道显微镜对Sc_2O_3 / La_2O_3高k栅堆叠的电子陷阱表征
机译:基于多晶硅/ Hf的高k栅极电介质中平带电压偏移的起因以及平带电压对栅极堆叠结构的依赖性
机译:HfO / sub 2 // HfSi / sub x / O / sub y /高k栅堆叠,漏电流极低,适用于低功率多晶硅栅CMOS应用
机译:带有多晶硅和MIPS(金属插入的多晶硅堆叠)栅极的高k栅极电介质的PBTI和HCI特性
机译:使用低温扫描隧道显微镜和光谱法表征单分子,共轭聚合物和分子纳米结构的电子结构。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:使用PVD / CVD堆叠锡和局部应变技术先进的Poly-Si NMIS和Poly-Si / TiN PMIS Hybrid-KCMIS