机译:4.7 GHz低功耗交叉耦合GaN HEMT振荡器
机译:低功率微波HEMT
机译:50 GHz LC交叉耦合振荡器中的低功耗CMOS注入锁定和电流模式逻辑分频器
机译:1.4-2.3GHz低噪声,低功耗LC-VCO,采用数字调谐电阻阵列自动幅度控制
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT和振荡器的噪声。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:在高环境温度下工作的基于GaAs的MESFET,HEMT和HBT的微波表征和性能比较
机译:等离子体波导中低功率微波激发局部静电振荡的测量