机译:物理气相沉积氮化钛的纳米湿法腐蚀及其在低于30nm栅长的鳍片式双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制造中的应用
机译:通过混合干法和湿法硬掩模蚀刻制造的20 nm物理栅极长度NMOSFET,具有1.2 nm栅极氧化物
机译:用于高级双栅氧化物p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的等离子体氮化和热氮化氧化物可靠性问题的系统研究
机译:湿式栅极氧化物器件和氮氧化物(NO)器件的特性
机译:NMR研究了2-乙基丁基锂/ 2-乙基-1-丁氧基锂混合骨料,氢化锂/ 2-乙基-1-丁氧基锂混合骨料,N-戊基锂骨料和N-戊基锂/ N-五氧化锂骨料。
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:通过数值和分析模型优化等离子氮化栅氧化物的栅泄漏和NBTI
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。