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【2h】

Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature

机译:零偏置太赫兹和太赫兹探测器在室温下运行

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摘要

In this paper, the experimental study of the terahertz and subterahertz hotudelectron bolometer based on narrow-gap semiconductor compound Hg₁₋xCdxTe isudpresented. The measurements were performed in the temperature range from 77 toud300 K at various operating mode and frequency. The estimated value of the noiseudequivalent power at room temperature for detector proposed was 1.3·10⁻⁸ W/Hz¹/² andud5.4·10⁻⁹ W/Hz¹/² at bias current I = 1 mA and I = 0, respectively.
机译:本文介绍了基于窄间隙半导体化合物Hg₁₋xCdxTe的太赫兹和太赫兹热德电子辐射热测量仪的实验研究。在各种操作模式和频率下,在从77到ud300 K的温度范围内进行测量。所建议的探测器在室温下的噪声等效功率的估计值在偏置电流I = 1 mA和I =的情况下为1.3·10⁻⁸W / Hz¹/²和 ud5.4·10⁻⁹W / Hz¹/²。分别为0。

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