机译:逆偏压下冷气温逆偏压下逆偏压下逆压电效应及捕集效应的研究
机译:在低温温度下用栅极脉冲应力降解AlGaN / GaN Hemts的研究
机译:关于反向偏置应力AlGaN / GaN HEMT中电参数退化的不同原因
机译:AlGaN / GaN HEMT器件的降解:反向偏置和热电子应力的作用
机译:反向偏置应力下77K下AlGaN / GaN HEMT的可靠性研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:低温下栅极脉冲应力下alGaN / GaN HEmT退化的研究