机译:通过化学气相沉积途径简单地合成介电基板上的大面积多层石墨烯薄膜(通过CVD途径合成介电基板上的MLG薄膜)
机译:通过改进的低压化学气相沉积(LPCVD)途径在基板上混合相TiO2(B)/锐钛矿型TiO2薄膜的通用合成方法
机译:SiO 2 sub> / Si衬底上大气压化学气相沉积法大面积合成单层MoSe 2 sub>薄膜
机译:通过等离子增强化学气相沉积直接在Si衬底上无氢合成石墨烯-石墨薄膜
机译:通过化学气相沉积路线简单地在介电基板上合成大面积多层石墨烯膜(通过CVD路线在介电基板上合成MLG膜)
机译:通过化学气相沉积法在透明基板上低温直接生长石墨烯薄膜。
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:通过改进的低压化学气相沉积(LpCVD)路线在基板上混合相制备TiO2(B)/锐钛矿型TiO2薄膜的通用合成方法