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【2h】

Paramétrisation des caractéristiques courant – tension directesuddes diodes irradiées

机译：电流特性参数化-直流电压 ud辐照二极管

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摘要

La caractéristique courant – tension en mode direct d’une diode p-n-n, à base de silicium, utilisée comme un détecteur de particules est simulée par la résolution numérique de l’équation de poisson et des équations de continuité. Les conditions supposées pour ce régime sont ceux de l’obscurité(régime stationnaire), la présence des pièges(effet d’irradiation) en considérant le cas de la polarisation direct. ududL’effet d’irradiation et de la température sur la caractéristique I-VF sont ensuite étudier par une analyse des paramètres qui définissent des fonctions empiriques I(V), données pour décrire le comportement du courant de la diode en polarisation direct avant et après irradiation. ududLes courbes I(VF) obtenues par simulation et le calcule des paramètres, conductance et énergie d’activation à partir des fonctions choisie ,se trouvent en conformité avec des mesures expérimentales correspondantes.
机译：通过Fish方程和连续性方程的数字分辨率，模拟了用作颗粒检测器的硅基p-n-n二极管的电流-直流模式特性。考虑到直接极化的情况，假定该条件的条件是黑暗的条件（静止条件），陷阱的存在（辐射效应）。然后，通过对定义经验函数I（V）的参数进行分析，研究辐射和温度对特性I-VF的影响，这些数据描述了二极管在直接极化时的电流行为照射前后。根据选定的函数，通过仿真以及对所选功能的参数，电导和活化能的计算获得的曲线I（VF）可以找到。

著录项

  • 作者

    BENMAKHLOUF ABDENNOUR;

  • 作者单位
  • 年度 2006
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  • 正文语种 en
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