机译:比较5 NM技术节点的Bulk-Si FinFET和门 - 全部FET
机译:7NM技术节点中应变SiGe和Buk-Si通道FinFET的性能比较
机译:用于6T-SRAM缩放的7 / 8-nm体硅FinFET技术分析
机译:在块状Si衬底上采用193nm扫描光刻和复合硬掩模蚀刻技术制造的FinFET Si鳍片薄体结构
机译:存在高κ栅极绝缘体的块状Si NMOSFET中的电子传输:电荷俘获和迁移率
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:低温下SOI衬底上n通道FinFET的深度静态和低频噪声表征