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【2h】

Microstructure of highly oriented, hexagonal, boron nitride thin films grown on crystalline silicon by radio frequency plasma-assisted chemical vapor deposition

机译：通过射频等离子体辅助化学气相沉积法在晶体硅上生长的高取向六方氮化硼薄膜的微观结构

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We present a high‐resolution electron microscopy study of the microstructure of boron nitride thin films grown on silicon (100) by radio‐frequency plasma‐assisted chemical vapor deposition using B2H6 (1% in H2) and NH3 gases. Well‐adhered boron nitride films grown on the grounded electrode show a highly oriented hexagonal structure with the c‐axis parallel to the substrate surface throughout the film, without any interfacial amorphous layer. We ascribed this textured growth to an etching effect of atomic hydrogen present in the gas discharge. In contrast, films grown on the powered electrode, with compressive stress induced by ion bombardment, show a multilayered structure as observed by other authors, composed of an amorphous layer, a hexagonal layer with the c‐axis parallel to the substrate surface and another layer oriented at random
机译：我们提供了高分辨率的电子显微镜研究，该研究通过使用B2H6（H2为1％）和NH3气体的射频等离子体辅助化学气相沉积法在硅（100）上生长的氮化硼薄膜的微观结构。在接地电极上生长的粘附良好的氮化硼薄膜显示出高度取向的六边形结构，其c轴在整个薄膜中平行于基材表面，没有任何界面非晶层。我们将这种纹理生长归因于气体放电中存在的原子氢的蚀刻作用。相比之下，其他作者所观察到的，在带电电极上生长的膜具有由离子轰击引起的压缩应力，该膜显示出多层结构，该结构由非晶层，c轴平行于基材表面的六边形层以及另一层组成随机定向

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