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Transient out-of-SOA robustness of SiC power MOSFETs

机译：SiC功率MOSFET的瞬态SOA鲁棒性

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Beyond their main function of high-frequency switches in modulated power converters, solid-state power devices are required in many application domains to also ensure robustness against a number of overload operational conditions. This paper considers the specific case of 1200 V SiC power MOSFETs and analyses their performance under three main transient regimes at the edge of and out of their Safe Operating Area: unclamped inductive switching led avalanche breakdown; short-circuit; operation as current limiting and regulating devices. The results presented highlight both inherent major strengths of SiC over Si and areas for improvement by tailored device design. The paper aims to contribute useful indications for technology development in future device generations to better match widespread and varied application requirements.
机译：除了在调制功率转换器中使用高频开关的主要功能外，在许多应用领域中都需要固态功率器件，以确保在许多过载操作条件下的鲁棒性。本文考虑了1200 V SiC功率MOSFET的特殊情况，并分析了在其安全工作区域边缘和外部的三种主要瞬态情况下的性能：未钳位的感应开关导致雪崩击穿；短路用作限流和调节装置。提出的结果突出了SiC相对于Si的固有主要优势以及需要通过定制器件设计改进的领域。本文旨在为将来的设备开发中的技术开发提供有用的指示，以更好地满足广泛和变化的应用需求。

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