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Thermopower studies of a series of salts of tetramethyltetrathiafulvalene (TMTTF)2X, X=Br, ClO4, NO3, SCN, BF4, AsF6, and PF6

机译：一系列四甲基四硫富瓦烯（TmTTF）2X，X = Br，ClO4，NO3，sCN，BF4，asF6和pF6的盐的热电研究

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Thermoelectric power measurements on a group of tetramethyltetrathiafulvalene (TMTTF)2X salts show a wide variety of behavior. In the range of temperatures 300≥T≳100 K several of the salts (X=BF4, ClO4, NO3, SCN) have a constant thermopower S≃35 μV/K, while the PF6 and AsF6 salts have S∝1 / T, and the Br salt has S increasing with T. Below ∼100 K, S shows a steep increase or decrease with decreasing temperature for each salt which, with the exception of the SCN salt, is not associated with a phase transition. These materials had been identified as semiconductors below the maximum in conductivity σ vs T. We give arguments that the gap at the Fermi energy exists at temperatures above the maximum as well. The existence of a gap is good evidence that the material is characterized by Coulomb repulsion U for a second electron on a site larger than the bandwidth 4t. However, the constant finite S
机译：一组四甲基四硫富瓦烯（TMTTF）2X盐的热电功率测量显示出各种各样的行为。在300≥T≳100K的温度范围内，几种盐（X = BF4，ClO4，NO3，SCN）的热功率恒定为S≃35μV/ K，而PF6和AsF6盐的Spower1 / T，约100 K以下，S随温度降低而急剧增加或减少，S盐随S的增加而增加。除SCN盐外，S均与相变无关。这些材料已被确定为低于电导率σvs T的最大值的半导体。我们提出这样的观点，费米能量处的能隙也存在于高于最大值的温度下。间隙的存在很好地证明了该材料的特征是第二电子在大于带宽4t的位置上具有库仑排斥U。但是，常数S

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