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化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

机译：化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

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本工作首先采用化学刻蚀法制备出各种特征的多孔硅，然后通过扫描电镜（ＳＥＭ）技术，对多孔硅的表面形貌进行了表征，并分析了多孔硅表面微结构的形成过程

机译：本工作首先采用化学刻蚀法制备出各种特征的多孔硅，然后通过扫描电镜（ＳＥＭ）技术，对多孔硅的表面形貌进行了表征，并分析了多孔硅表面微结构的形成过程

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作者
程璇; 郑玉峰; 林昌健; 薛茹;
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作者单位

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年度 1999
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正文语种 zh
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