首页> 中国专利> 功率模块、反向导通IGBT及驱动电路

功率模块、反向导通IGBT及驱动电路

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供能够提高反向导通IGBT的控制性的功率模块、反向导通IGBT和驱动电路。上述功率模块具备：功率半导体芯片(3)，其在同一芯片内形成有IGBT(31)和续流二极管(32)；以及驱动电路(2)，其与功率半导体芯片(3)连接，对IGBT(31)进行导通/关断驱动，上述功率模块(1)是将功率半导体芯片(3)和驱动电路(2)封装化而成的功率模块，上述功率模块还具备串联配置在IGBT(31)的发射极与驱动电路(2)的接地之间的电容器CP和开关元件(23)，在驱动电路(2)使IGBT31进行关断开关动作的情况下，开关元件(23)使发射极与接地之间导通。

著录项

公开/公告号CN110352548A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-18

原文格式PDF
申请/专利权人富士电机株式会社;
展开▼

申请/专利号CN201880014955.9
发明设计人佐藤茂树;
展开▼

申请日2018-08-02
分类号H02M1/08(20060101);H01L21/822(20060101);H01L27/04(20060101);H01L29/739(20060101);H01L29/78(20060101);H03K17/04(20060101);H03K17/16(20060101);H03K17/56(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人张欣;金玉兰
地址日本神奈川县川崎市
入库时间 2024-02-19 15:25:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H02M1/08 申请日:20180802

实质审查的生效
2019-10-18

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 功率模块、反向导通IGBT及驱动电路 [P] . 中国专利： CN110352548B . 2021.03.02
2. 功率模块和反向导通IGBT [P] . 中国专利： CN110352475A . 2019-10-18
3. POWER MODULE, REVERSE-CONDUCTING IGBT, AND DRIVE CIRCUIT [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019054078A1 . 2019-03-21

机译：功率模块，反向导通的IGBT和驱动电路
4. POWER MODULE, REVERSE-CONDUCTING IGBT, AND DRIVE CIRCUIT [P] . 美国专利： US2019386655A1 . 2019-12-19

机译：功率模块，反向导通的IGBT和驱动电路
5. Power module and reverse conducting IGBT [P] . 日本专利： JPWO2019054077A1 . 2020-01-16

机译：功率模块和反向导通IGBT