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一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备

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本发明公开了一种CMOS晶体管，包括衬底，以及在衬底上形成的PMOS晶体管和NMOS晶体管；其中，PMOS晶体管和NMOS晶体管均包括：依次叠置在衬底上的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；绕沟道区的至少部分外围形成的栅堆叠；叠置在第一源/漏区和第二源/漏区上的掺杂层，依次叠置在掺杂层上的金属硅化物层和第一金属层，以及形成在第一金属层两侧的第二金属层。本发明提供的CMOS晶体管在对应的第一源/漏区和第二源/漏区表面均叠置有掺杂层，其中，NMOS晶体管对应的掺杂层内掺杂有高浓度的P或As，PMOS晶体管对应的掺杂层内掺杂有高浓度的B，能够有效降低源漏接触电阻，从而提高器件性能。同时，本发明还提供一种CMOS晶体管的制备方法，以及一种电子设备。

著录项

公开/公告号CN110634866A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-31

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN201910837294.6
发明设计人毛淑娟;罗军;许静;
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申请日2019-09-05
分类号
代理机构北京知迪知识产权代理有限公司;
代理人王胜利
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2024-02-19 17:08:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/092 申请日:20190905

实质审查的生效
2019-12-31

公开

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