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基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法

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本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组；求出方程组中的待定参数，确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量，同时还可以获得导体材料的导热系数值，避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。

著录项

公开/公告号CN103245692A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-14

原文格式PDF
申请/专利权人清华大学;北京机电工程研究所;
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申请/专利号CN201310146537.4
发明设计人符泰然;汤龙生;段明皓;王忠波;谈鹏;周金帅;邓兴凯;
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申请日2013-04-24
分类号G01N25/20(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人韩国胜
地址 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
入库时间 2024-02-19 19:50:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-02-18

授权

授权
2013-09-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N25/20 申请日:20130424

实质审查的生效
2013-08-14

公开

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