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感测电路

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一种电路(101)包含退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管(102)、负载PMOS晶体管(104)和箝位晶体管(110)，所述箝位晶体管(110)经配置以在感测操作期间对施加到基于电阻的存储器元件(112)的电压进行箝位操作。所述负载PMOS晶体管的栅极(118)由运算放大器(106)的输出(120)来控制。

著录项

公开/公告号CN103620685A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-03-05

原文格式PDF
申请/专利权人高通股份有限公司;
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申请/专利号CN201280031067.0
发明设计人金圣克;金吉苏;刘景昊;升·H·康;
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申请日2012-07-01
分类号G11C7/06(20060101);G11C7/12(20060101);G11C11/16(20060101);G11C16/26(20060101);G11C11/4091(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 22:44:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-09-21

授权

授权
2014-04-02

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C7/06 申请日:20120701

实质审查的生效
2014-03-05

公开

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