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半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用

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本发明公开了一种半导体纳米晶荧光材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)将一种或多于一种半导体纳米晶前驱体与微/介孔材料均匀混合；2)在不低于所述微/介孔材料的坍塌温度条件下煅烧制得半导体纳米晶荧光材料。通过本发明的半导体纳米晶荧光材料的制备方法，可以将半导体纳米晶前驱体负载在微/介孔材料中，在常压或高压氛围下，进行高温煅烧，利用材料的微/介孔限域生长半导体纳米晶，同时高温导致孔道坍塌，从而将半导体纳米晶封装在微/介孔材料的孔道中，得到高度稳定的半导体纳米晶荧光材料。该高度稳定的半导体纳米晶荧光材料，能够有效阻挡水分、氧气、光照对半导体纳米晶荧光材料的腐蚀，提高半导体纳米晶荧光材料的操作稳定性，将该半导体纳米晶荧光材料封装在LED芯片上，可做成各种背光源器件。本发明还公开了几种应用该制备方法制得的半导体纳米晶荧光材料，以及所述半导体纳米晶荧光材料的应用。

著录项

公开/公告号CN110734758A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-31

原文格式PDF
申请/专利权人上海交通大学;
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申请/专利号CN201911055146.5
发明设计人李良;张庆刚;
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申请日2019-10-31
分类号C09K11/02(20060101);C09K11/66(20060101);C09K11/88(20060101);C09K11/56(20060101);C09K11/62(20060101);H01L33/50(20100101);G01N21/64(20060101);A61K49/00(20060101);
代理机构44375 深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司;
代理人李华双
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2023-12-17 05:22:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-25

实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/02 申请日:20191031

实质审查的生效
2020-01-31

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