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基于多宽度表征的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法

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一种基于多宽度表征的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法，利用多方向上的宽度表征掩模图形的主要频率特征，并基于主要频率的多方向宽度设计主要频率之间的覆盖规则、主要频率聚类方法和关键图形筛选方法，实现了全芯片光源掩模优化关键图形筛选。本发明包含计算掩模图形的衍射谱、主要频率提取、主要频率聚类和关键图形筛选四个步骤。本发明可以有效筛选出关键掩模图形，增大了全芯片光源掩模优化的工艺窗口。

著录项

公开/公告号CN111338179A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-26

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所;
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申请/专利号CN202010304673.1
发明设计人廖陆峰;李思坤;王向朝;
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申请日2020-04-17
分类号
代理机构上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张宁展
地址 201800 上海市嘉定区清河路390号
入库时间 2023-12-17 09:46:46

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-21

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/76 申请日:20200417

实质审查的生效
2020-06-26

公开

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