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一种化学气相沉积过程的三维模拟方法

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摘要

本发明涉及一种化学气相沉积过程的三维模拟方法，属于微电子加工中沉积过程模拟领域，该方法包括用元胞方法(CM)来表示模拟区域Ω中各个位置的材料分布并将沉积图形表面剖分成若干个三角平面；用蒙特卡罗(MC)方法结合空间八叉树非均匀剖分技术实现快速跟踪沉积粒子的输运过程，计算到达沉积图形表面的三角平面，再结合当前位置材料所对应的沉积模型和三角平面的面积等，计算得到沉积图形表面各三角平面沉积速度，避免了沉积速度计算的盲目性；根据计算获得沉积速度，用水平集方法(LS)实现化学气相沉积(CVD)过程沉积表面运动的准确跟踪。该方法可以模拟低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、大气压下化学气相沉积等多种气相沉积过程，实现复杂多种材料构成的沉积图形的沉积模拟。

著录项

  • 公开/公告号CN102521886A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201110391099.9

  • 发明设计人 宋亦旭;杨宏军;吴凡;孙晓民;贾培发;

    申请日2011-11-30

  • 分类号

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人廖元秋

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2023-12-18 05:43:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-15

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06T19/00 授权公告日:20140820 终止日期:20181130 申请日:20111130

    专利权的终止

  • 2014-08-20

    授权

    授权

  • 2012-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06T19/00 申请日:20111130

    实质审查的生效

  • 2012-06-27

    公开

    公开

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