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一种SiO2薄膜红外特征吸收峰分峰数量确定方法

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本发明属于光学薄膜低折射技术领域，具体涉及一种SiO2薄膜红外特征吸收峰数量确定方法。本发明涉及光学薄膜在红外特征吸收峰叠加情况，对叠加吸收峰数量的精确分解方法，具体提出一种对薄膜材料红外特征吸收光谱吸收峰数量的确定方法，其将不同的吸收峰等效为化学物质的成分，利用红外光谱测量技术确定化学物质成分组成的原理，对薄膜样品进行处理后进行吸收峰数量的确定。本发明优点是在于可以准确确定薄膜的吸收峰数量，特别是对于相近吸收峰叠加的情况效果最为明显。由此，本发明提出通对吸收峰的分解方法，实现能够精确确定吸收峰的叠加数量，为材料介电常数的反演计算奠定技术基础。

著录项

公开/公告号CN104458641A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-25

原文格式PDF
申请/专利权人中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所;
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申请/专利号CN201410720154.8
发明设计人刘华松;刘丹丹;季一勤;王利栓;姜承慧;姜玉刚;
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申请日2014-12-02
分类号G01N21/3563(20140101);
代理机构11011 中国兵器工业集团公司专利中心;
代理人刘东升
地址 300308 天津市东丽区空港经济开发区中环西路58号
入库时间 2023-06-18 21:15:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-14

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/3563 申请公布日:20150325 申请日:20141202

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-04-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/3563 申请日:20141202

实质审查的生效
2015-03-25

公开

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