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高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜

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本发明的课题在于，提供能够高效且稳定地提供高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶和以高纯度材料镧为主要成分的金属栅用薄膜的技术。该高纯度镧的制造方法的特征在于，以除气体成分以外的纯度为2N～3N的粗镧氧化物原料为起始材料，在450～700℃的浴温下进行熔盐电解得到镧结晶，然后在将该镧结晶进行脱盐处理后，进行电子束熔炼而除去挥发性物质。

著录项

公开/公告号CN105087966A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-25

原文格式PDF
申请/专利权人吉坤日矿日石金属株式会社;
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申请/专利号CN201510437044.5
发明设计人高畑雅博;佐藤和幸;成田里安;乡原毅;
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申请日2012-01-17
分类号C22B59/00(20060101);C22B9/22(20060101);C23C14/34(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/285(20060101);H01L29/40(20060101);C22C28/00(20060101);C01F17/00(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人王海川;穆德骏
地址日本东京
入库时间 2023-12-18 12:21:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-17

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C22B59/00 申请公布日:20151125 申请日:20120117

发明专利申请公布后的驳回
2015-12-23

实质审查的生效 IPC(主分类):C22B59/00 申请日:20120117

实质审查的生效
2015-11-25

公开

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