• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 一种Si基GaN Bi-HEMT芯片及其制备方法

一种Si基GaN Bi-HEMT芯片及其制备方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明公开了一种Si基GaN？Bi-HEMT芯片及其制备方法，该芯片包括Si衬底、SiC外延层、GaN外延层、金属电极；所述SiC外延层位于Si衬底之上，GaN外延层位于SiC外延层之上，金属电极位于GaN外延层之上；所述GaN外延层可为GaN、AlN、InN及其它们的三元、四元合金组成的薄膜材料；所述GaN外延层具有GaN？HEMT和HBT两个外延结构；所述GaN？HBT外延层位于GaN？HEMT外延层之上，刻蚀去除GaN？HBT外延层，至GaN？HEMT外延层露出并在其上制备电极；通过刻蚀或高能粒子注入方式将GaN？HEMT和GaN？HBT两个器件隔离。本发明能有效降低芯片电阻，增加低功率模式下附加功率效率，提高芯片可靠性，同时，缩小了芯片体积，有利于减少了电路面积。

著录项

  • 公开/公告号CN105355627A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山德华芯片技术有限公司;

    申请/专利号CN201510822308.9

  • 发明设计人 张露;杨翠柏;王青;张杨;吴波;张小宾;毛明明;

    申请日2015-11-23

  • 分类号H01L27/06;H01L21/8248;H01L21/02;

  • 代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁莹

  • 地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

  • 入库时间 2023-12-18 14:26:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-31

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/06 申请公布日:20160224 申请日:20151123

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/06 申请日:20151123

    实质审查的生效

  • 2016-02-24

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号