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成膜方法、真空处理装置、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件、半导体电子元件的制造方法、半导体电子元件、照明装置

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摘要

本发明提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。

著录项

公开/公告号CN107078031A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-18

原文格式PDF
申请/专利权人佳能安内华股份有限公司;
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申请/专利号CN201580052175.X
发明设计人醍醐佳明;清野拓哉;大塚喜隆;牧田裕之;石桥奏太朗;山中和人;
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申请日2015-07-09
分类号H01L21/203(20060101);C23C14/34(20060101);H01L33/32(20060101);
代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址日本神奈川县
入库时间 2023-06-19 03:07:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-09-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/203 申请日:20150709

实质审查的生效
2017-08-18

公开

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