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大口径CZ单晶的生长装置及其生长方法

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将温度传感器的光路设置成通过结晶生长炉的观察窗，瞄准坩埚内面与熔融液表面相内接的边界部位，在结晶生长进行的期间监视经过光电变换的来自传感器的电信号，获取该边界部位的温度变化，由此将该部位的温度抑制在一定范围，以便能进行稳定的结晶生长。对于结晶生长，过冷的推进使得始于坩埚(8)的壁的结晶生长变得不适合于大型结晶生长。对于坩埚(8)的壁与熔融液(13)的边界线(9)的温度，使温度传感器(1)通过观察窗(11)瞄准边界线(9)来监视温度，在始于坩埚(8)的壁的结晶生长开始的温度区域跟前，通过从控制部(4)对电源(5)发送信号来对炉温度进行升温，能够抑制始于坩埚(8)的壁的结晶生长，安全地生长大口径结晶。

著录项

公开/公告号CN108570706A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-25

原文格式PDF
申请/专利权人 FTB研究所株式会社;国立大学法人东北大学;国立研究开发法人产业技术综合研究所;
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申请/专利号CN201810203214.7
发明设计人堀冈佑吉;藤原航三;福田哲生;
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申请日2018-03-13
分类号
代理机构北京鼎承知识产权代理有限公司;
代理人李伟波
地址日本千叶县野田市
入库时间 2023-06-19 06:37:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/22 申请日:20180313

实质审查的生效
2018-09-25

公开

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