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胶体二氧化硅生长抑制剂以及相关的方法和系统

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描述了抑制胶体二氧化硅沉积物在磷酸中处理的表面上生长的技术。在一个实施方案中，所公开的技术包括使用胶体二氧化硅生长抑制剂作为用于氮化硅蚀刻的磷酸溶液中的添加剂。在一些实施方案中，所述添加剂可以具有可以含有强阴离子基团的化学品。提供了这样的方法和装置：其监测在处理期间磷酸溶液中的二氧化硅浓度和/或胶体二氧化硅生长抑制剂浓度，并根据需要调节这些组分的量。提供了用于控制磷酸溶液中待使用的添加剂浓度以及二氧化硅浓度的方法和装置的技术。本文所述的技术提供了相对于二氧化硅的高选择性氮化硅蚀刻，而不使胶体二氧化硅沉积物在暴露的表面上生长。

著录项

公开/公告号CN109072077A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-21

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN201780026802.1
发明设计人安东尼奥·L·P·罗通达龙;华莱士·P·普林茨;
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申请日2017-03-24
分类号C09K13/04(20060101);C09K13/06(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人蔡胜有;苏虹
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 07:54:06

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-29

实质审查的生效 IPC(主分类):C09K13/04 申请日:20170324

实质审查的生效
2018-12-21

公开

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