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一种非心混阴离子晶体材料及其制备方法与应用

摘要

本发明属于无机非线性光学材料技术领域,具体公开了一种非心混阴离子晶体及其制备方法与应用。该晶体具有如下所示的分子式:SrGeOSe2,其晶体结构属于正交晶系,空间群为P212121。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率,较宽的透光范围,强的红外倍频响应,其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的1.3倍,且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的36倍,在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值,尤其是用于红外探测器和红外激光器。

著录项

  • 公开/公告号CN111676517A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN202010450475.6

  • 发明设计人 林华;冉茂银;吴新涛;朱起龙;

    申请日2020-05-25

  • 分类号C30B29/46(20060101);C30B1/10(20060101);G01V8/10(20060101);G01N21/359(20140101);H01S3/06(20060101);G02F1/355(20060101);

  • 代理机构11535 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人谢蓉;吕少楠

  • 地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号

  • 入库时间 2023-06-19 08:19:12

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