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一种基于等效电路模型的集成电路IBIS模型提取方法及系统

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本发明提供了一种基于等效电路模型的集成电路IBIS模型提取方法及系统，方法包括：获取集成电路无源部分的多层集成电路版图信息，设置提取相关参数和仿真参数；对多层集成电路无源部分识别其金属层‑介质形成的平行平板场域并进行网格剖分，计算电磁场；定义无源部分的多端口网络，根据无源部分多端口和多层集成电路的电磁场，计算无源部分多端口网络的散射参数，将散射参数转换为无源部分的SPICE模型；如果是有源模型，将有源部分的SPICE模型与无源SPICE模型通过耦合节点合并成新的SPICE模型；将SPICE模型转换为IBIS模型。能够根据用户不同的需求，来设置IC封装网络的IBIS模型提取相关参数和仿真参数，具有IBIS模型的提取完整度高、提取效率高、仿真精确性高等优点。

著录项

公开/公告号CN111737943A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02

原文格式PDF
申请/专利权人北京智芯仿真科技有限公司;
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申请/专利号CN202010784321.0
发明设计人唐章宏;邹军;汲亚飞;黄承清;王芬;
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申请日2020-08-06
分类号G06F30/367(20200101);G06F30/392(20200101);G06F30/398(20200101);
代理机构44453 深圳市行一知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人杨贤
地址 100000 北京市海淀区信息路甲28号B座(二层)02B室-350号
入库时间 2023-06-19 08:28:36

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